Tranzystor 2N BD ON Semiconductor BD809 NPN Rodzaj obudowy TO-220AB N/A N/A
Tranzystor 2N BD ON Semiconductor BD809 NPN Rodzaj obudowy TO-220AB N/A N/A
Marka
Symbol
156400
Kod producenta
2050000038181
Częstotliwość przejść f(T)
1.5 MHz
Ilość kanałów
1
Moc (maks) P(TOT)
90 W
Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
80 V
Prąd kolektora I(C)
10 A
Prąd upływu kolektora I(CES)
1 mA
Saturacja VCE (maks.)
1.1 V
Sposób montażu
do montażu w otworach
Typ obudowy półprzewodnika
TO-220AB
Wykonanie
NPN
Wzmocnienie DC (hFE)
15
Wzmocnienie DC - napięcie odniesienia hFE
2 V
Wzmocnienie DC - natężenie odniesienia hFE
4 A
Zapytaj o produkt
Napisz swoją opinię