Tranzystor 2N ON NXP Semiconductors PHE13009,127 NPN Rodzaj obudowy TO-220AB N/A N/A
Tranzystor 2N ON NXP Semiconductors PHE13009,127 NPN Rodzaj obudowy TO-220AB N/A N/A
Marka
Symbol
150857
Kod producenta
2050000011658
Ilość kanałów
1
Kod producenta
NXP
Moc (maks) P(TOT)
80 W
Napięcie kolektor - emiter U(CEO)
400 V
Prąd kolektora I(C)
12 A
Prąd upływu kolektora I(CES)
100 µA
Saturacja VCE (maks.)
2 V
Sposób montażu
do montażu w otworach
Typ obudowy półprzewodnika
TO-220AB
Wykonanie
NPN
Wzmocnienie DC (hFE)
8
Wzmocnienie DC - napięcie odniesienia hFE
5 V
Wzmocnienie DC - natężenie odniesienia hFE
5 A
Zapytaj o produkt
Napisz swoją opinię