Tranzystor FET 2N International Rectifier IRFP 150 N
Tranzystor FET 2N International Rectifier IRFP 150 N
Symbol
162639
Kod producenta
2050000042874
C(ISS)
1900 pF
Cecha tranzystora
standardowy
I(d)
42 A
Ilość kanałów
1
Kod producenta
INF
Maksymalna temperatura robocza
+175 °C
Minimalna temperatura robocza
-55 °C
Moc (maks) P(TOT)
160 W
Napięcie niszczące U(BR) (DSS)
100 V
Napięcie odniesienia C(ISS)
25 V
Napięcie odniesienia Q(G)
10 V
Napięcie odniesienia R(DS)(on)
10 V
Natężenie odniesienia R(DS)(on)
23 A
Natężenie odniesienia maks U (GS)(th)
250 µA
Obudowa
TO-247-3
Q(G)
110 nC
R(DS) wł.
36 mΩ
Seria (elementu półprzewodnikowego)
HEXFET®
Sposób montażu
do montażu w otworach
U(DSS)
100 V
U(GS)(th) max.
4 V
Wykonanie
Kanał-N
Zapytaj o produkt
Napisz swoją opinię